IGBT Transistors 15A 410V Ignition
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | CASE 221A-09, 3 PIN |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 221A-09 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 15 A |
集电极-发射极最大电压 | 440 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最大降落时间(tf) | 15000 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 2.1 V |
门极-发射极最大电压 | 15 V |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 107 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大上升时间(tr) | 7000 ns |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 15500 ns |
标称接通时间 (ton) | 5700 ns |
Base Number Matches | 1 |
NGP15N41CL | NGP15N41CLG | NGD15N41CLT4 | |
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描述 | IGBT Transistors 15A 410V Ignition | IGBT Transistors 15A 410V Ignition | IGBT Transistors 15A 410V Ignition |
Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB | TO-252 |
包装说明 | CASE 221A-09, 3 PIN | LEAD FREE, CASE 221A-09, 3 PIN | CASE 369C-01, DPAK-3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | 221A-09 | 221A-09 | 369C |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 15 A | 15 A | 15 A |
集电极-发射极最大电压 | 440 V | 440 V | 440 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最大降落时间(tf) | 15000 ns | 15000 ns | 15000 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 2.1 V | 2.1 V | 2.1 V |
门极-发射极最大电压 | 15 V | 15 V | 15 V |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e0 | e3 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 260 | 240 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 107 W | 107 W | 107 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大上升时间(tr) | 7000 ns | 7000 ns | 7000 ns |
表面贴装 | NO | NO | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn80Pb20) | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn80Pb20) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 40 | 30 |
晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION | AUTOMOTIVE IGNITION | AUTOMOTIVE IGNITION |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 15500 ns | 15500 ns | 15500 ns |
标称接通时间 (ton) | 5700 ns | 5700 ns | 5700 ns |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB | - |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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