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AS6C2008A-55BINTR

产品描述SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM
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文件大小1MB,共15页
制造商Alliance Memory
标准
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AS6C2008A-55BINTR概述

SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM

AS6C2008A-55BINTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
内存集成电路类型STANDARD SRAM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

AS6C2008A-55BINTR相似产品对比

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描述 SRAM 2M 2.7-3.6V 55ns 256Kx8 LP Async SRAM Array/Network Resistor, Isolated, Thin Film, 0.1W, 264ohm, 50V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, 2021, SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
Factory Lead Time 8 weeks - - 8 weeks 8 weeks 8 weeks
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40
Base Number Matches 1 - 1 1 - 1
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