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DCP69-25-13

产品描述Bipolar Transistors - BJT 1W -20V
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小122KB,共5页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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DCP69-25-13概述

Bipolar Transistors - BJT 1W -20V

DCP69-25-13规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Diodes
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-223-4
Transistor PolarityPNP
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max20 V
Collector- Base Voltage VCBO25 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum DC Collector Current1 A
Gain Bandwidth Product fT200 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max50 at 5 mA at 10 V
高度
Height
1.6 mm
长度
Length
6.5 mm
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
宽度
Width
3.5 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min50 at 5 mA at 10 V, 60 at 1 A at 1 V, 160 at 500 mA at 1 V
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1000 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
单位重量
Unit Weight
0.003951 oz

DCP69-25-13相似产品对比

DCP69-25-13
描述 Bipolar Transistors - BJT 1W -20V
Product Attribute Attribute Value
制造商
Manufacturer
Diodes
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-223-4
Transistor Polarity PNP
Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 20 V
Collector- Base Voltage VCBO 25 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Maximum DC Collector Current 1 A
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max 50 at 5 mA at 10 V
高度
Height
1.6 mm
长度
Length
6.5 mm
宽度
Width
3.5 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min 50 at 5 mA at 10 V, 60 at 1 A at 1 V, 160 at 500 mA at 1 V
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1000 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
单位重量
Unit Weight
0.003951 oz
系列
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Reel
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