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NTB52N10T4

产品描述52 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小119KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NTB52N10T4概述

52 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

52 A, 100 V, 0.03 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

NTB52N10T4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明CASE 418B-04, D2PAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 418B-04
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)800 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)52 A
最大漏极电流 (ID)52 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)178 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)156 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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