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SI4858DY-T1-GE3

产品描述MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4858DY-T1-GE3在线购买

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SI4858DY-T1-GE3概述

MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V

SI4858DY-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)13 A
最大漏极电流 (ID)13 A
最大漏源导通电阻0.00525 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si4858DY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.00525 at V
GS
= 10 V
0.007 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
20
17
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• Optimized for "Low Side" Synchronous
Rectifier Operation
• 100 % R
g
Tested
APPLICATIONS
• DC/DC Converters
• Synchronous Rectifiers
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
S
Ordering Information:
Si4858DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4858DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
2.9
3.5
2.2
- 55 to 150
20
15
60
1.3
1.6
1
W
°C
10 s
30
± 20
13
10
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
29
67
13
Maximum
35
80
16
°C/W
Unit
Document Number: 70690
S09-0221-Rev. C, 09-Feb-09
www.vishay.com
1

SI4858DY-T1-GE3相似产品对比

SI4858DY-T1-GE3 SI4858DY-T1-E3
描述 MOSFET 30V 20A 3.5W 5.25mohm @ 10V MOSFET 30 Volt 20 Amp 3.5W
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
零件包装代码 SOT SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 13 A 13 A
最大漏极电流 (ID) 13 A 13 A
最大漏源导通电阻 0.00525 Ω 0.00525 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 3.5 W 3.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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