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IS49NLS93200-33B: 产品描述DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded; 产品类别存储; 文件大小1MB，共35页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz Leaded

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	DRAM
RoHS	N
类型 Type	RLDRAM2
Data Bus Width	9 bit
Organization	32 M x 9
封装 / 箱体 Package / Case	BGA-144
Memory Size	288 Mbit
Maximum Clock Frequency	300 MHz
Access Time	3.3 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	1.9 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	1.7 V
Supply Current - Max	368 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C
系列 Packaging	Tray
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
Moisture Sensitive	Yes
工作电源电压 Operating Supply Voltage	1.8 V
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	104
单位重量 Unit Weight	0.015757 oz

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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