RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Freescale |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-272 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | CASE 1484-04 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | ESD PROTECTION |
| 外壳连接 | SOURCE |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 115 V |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-272 |
| JESD-30 代码 | R-PDFM-F4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 225 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| MRF6V3090NBR1 | MRF6V3090NR1 | MRF6V3090NBR5 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 | RF MOSFET Transistors VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 零件包装代码 | TO-272 | TO-270 | TO-272 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4 | FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4 |
| 针数 | 4 | 2 | 4 |
| 制造商包装代码 | CASE 1484-04 | CASE 1486-03 | CASE 1484-04 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | ESD PROTECTION | ESD PROTECTION | ESD PROTECTION |
| 外壳连接 | SOURCE | SOURCE | SOURCE |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 115 V | 115 V | 115 V |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码 | TO-272 | TO-270 | TO-272 |
| JESD-30 代码 | R-PDFM-F4 | R-PDFM-F4 | R-PDFM-F4 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 225 °C | 225 °C | 225 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| Brand Name | Freescale | Freescale | - |
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