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MBD101G

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers 7V 225mW
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MBD101G概述

Schottky Diodes & Rectifiers 7V 225mW

MBD101G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明TO-226AC, 2 PIN
针数2
制造商包装代码182-06
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
配置SINGLE
最大二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.28 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40

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MBD101, MMBD101LT1
Preferred Device
Schottky Barrier Diodes
Designed primarily for UHF mixer applications but suitable also for
use in detector and ultra−fast switching circuits. Supplied in an
inexpensive plastic package for low−cost, high−volume consumer
requirements. Also available in Surface Mount package.
Features
http://onsemi.com
Low Noise Figure − 6.0 dB Typ @ 1.0 GHz
Very Low Capacitance − Less Than 1.0 pF
High Forward Conductance − 0.5 V (Typ) @ I
F
= 10 mA
Pb−Free Packages are Available
SILICON SCHOTTKY
BARRIER DIODES
MARKING
DIAGRAMS
TO−92 2−Lead
CASE 182
STYLE 1
1
2
2
CATHODE
1
ANODE
MBD
101
AYWW
G
G
MAXIMUM RATINGS
Rating
Reverse Voltage
Forward Power Dissipation
T
A
= 25°C
MBD101
MMBD101LT1
Derate above 25°C
MBD101
MMBD101LT1
T
J
T
stg
Symbol
V
R
P
F
280
225
2.2
1.8
+150
−55 to +150
mW
mW/°C
°C
°C
1
2
Value
7.0
Unit
V
Junction Temperature
Storage Temperature Range
3
SOT−23 (TO−236)
CASE 318
STYLE 8
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
4M M
G
G
1
3
CATHODE
1
ANODE
(Pin 2 Not Connected)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
(I
R
= 10
mA)
Diode Capacitance
(V
R
= 0, f = 1.0 MHz,
Note 1, page 2)
Forward Voltage
(I
F
= 10 mA)
Reverse Leakage
(V
R
= 3.0 V)
Symbol
V
(BR)R
C
D
Min
7.0
Typ
10
0.88
Max
1.0
Unit
V
pF
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW = Work Week
4M = Device Code (SOT−23)
M
= Date Code*
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
V
F
I
R
0.5
0.02
0.6
0.25
V
ORDERING INFORMATION
mA
Device
MBD101
MBD101G
MMBD101LT1
MMBD101LT1G
Package
TO−92
TO−92
(Pb−Free)
SOT−23
SOT−23
(Pb−Free)
Shipping
5000 Units / Box
5000 Units / Box
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
1
March, 2007 − Rev. 3
Publication Order Number:
MBD101/D

MBD101G相似产品对比

MBD101G MMBD101LT1
描述 Schottky Diodes & Rectifiers 7V 225mW Schottky Diodes & Rectifiers 7V 225mW Single
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TO-92 SOT-23
包装说明 TO-226AC, 2 PIN PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数 2 3
制造商包装代码 182-06 318-08
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最大二极管电容 1 pF 1 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE MIXER DIODE
频带 ULTRA HIGH FREQUENCY ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码 TO-92 TO-236AB
JESD-30 代码 O-PBCY-T2 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e1 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 240
最大功率耗散 0.28 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 BOTTOM DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30
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