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IS43TR81280AL-125JBLI

产品描述DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共87页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS43TR81280AL-125JBLI概述

DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT

IS43TR81280AL-125JBLI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time12 weeks
Is SamacsysN
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B78
长度10.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.45 V
最小供电电压 (Vsup)1.283 V
标称供电电压 (Vsup)1.35 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
Base Number Matches1
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