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PHT8N06LT135

产品描述MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小165KB,共10页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PHT8N06LT135概述

MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A

PHT8N06LT135规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-223-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage55 V
Id - Continuous Drain Current3.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage13 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle Dual Drain
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1.8 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.7 mm
长度
Length
6.7 mm
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
3.7 mm
Fall Time30 ns
Rise Time30 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
4000
Typical Turn-Off Delay Time30 ns
Typical Turn-On Delay Time10 ns
单位重量
Unit Weight
0.008818 oz

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