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BD242TU

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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BD242TU概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

BD242TU规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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BD242/A/B/C
BD242/A/B/C
Medium Power Linear and Switching
Applications
• Complement to BD241/A/B/C respectively
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
Parameter
Collector-Emitter Voltage
: BD242
: BD242A
: BD242B
: BD242C
Collector-Emitter Voltage
: BD242
: BD242A
: BD242B
: BD242C
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
- 45
- 60
- 80
- 100
- 55
- 70
- 90
- 115
-5
-3
-5
-1
40
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
CER
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
Parameter
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: BD242
: BD242A
: BD242B
: BD242C
Collector Cut-off Current
Collector Cut-off Current
: BD242/A
: BD242B/C
: BD242
: BD242A
: BD242B
: BD242C
Test Condition
I
C
= - 30mA, I
B
= 0
Min.
- 45
- 60
- 80
- 100
- 0.3
- 0.3
- 0.2
- 0.2
- 0.2
- 0.2
-1
25
10
- 1.2
- 1.8
V
V
Typ.
Max.
Units
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CEO
I
CES
V
CE
= - 30V, I
B
= 0
V
CE
= - 60V, I
B
= 0
V
CE
= - 45V, V
BE
= 0
V
CE
= - 60V, V
BE
= 0
V
CE
= - 80V, V
BE
= 0
V
CE
= - 100V, V
BE
= 0
V
EB
= - 5V, I
C
= 0
V
CE
= - 4V, I
C
= - 1A
V
CE
= - 4V, I
C
= - 3A
I
C
= - 3A, I
B
= - 0.6A
V
CE
= - 4V, I
C
= - 3A
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter ON Voltage
* Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle≤2% Pulsed
©2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
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