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MMBF170LT1

产品描述MOSFET 20V 500mA N-Channel
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MMBF170LT1概述

MOSFET 20V 500mA N-Channel

MMBF170LT1规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOT-23
包装说明TO-236, CASE 318-08, 3 PIN
针数3
制造商包装代码318-08
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.5 A
最大漏极电流 (ID)0.5 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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MMBF170L, NVBF170L
Power MOSFET
Features
500 mA, 60 V, N−Channel SOT−23
NVBF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain−Source Voltage
Drain−Gate Voltage
Gate−Source Voltage
Continuous
Non−repetitive (t
p
50
ms)
Drain Current
Continuous
Pulsed
Symbol
V
DSS
V
DGS
V
GS
V
GSM
I
DM
I
D
Value
60
60
±
20
±
40
0.5
0.8
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vpk
Adc
SOT−23
CASE 318
STYLE 21
http://onsemi.com
500 mA, 60 V
R
DS(on)
= 5
W
N−Channel
3
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR− 5 Board
(Note 1.) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
P
D
Max
225
1.8
556
−55
to
+150
Unit
mW
mW/°C
°C/W
°C
1
R
qJA
T
J
, T
stg
2
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. FR−5 = 1.0

0.75

0.062 in.
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
3
Drain
6Z MG
G
Gate 1
2 Source
6Z
= Specific Device Code
M
= Date Code
G
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the
package dimensions section on page 2 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
August, 2013
Rev. 9
1
Publication Order Number:
MMBF170LT1/D

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MMBF170LT1 MMBF170LT3G MMBF170LT3
描述 MOSFET 20V 500mA N-Channel MOSFET 20V 500mA N-Channel MOSFET 20V 500mA N-Channel
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 TO-236, CASE 318-08, 3 PIN TO-236, 3 PIN TO-236, CASE 318-08, 3 PIN
针数 3 3 3
制造商包装代码 318-08 318-08 CASE 318-08
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大漏极电流 (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e3 e0
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 260 240
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 40 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor -
是否无铅 含铅 不含铅 -
Factory Lead Time - 1 week 1 week

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