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RJK005N03

产品描述2.5V Drive Nch MOS FET
文件大小44KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RJK005N03概述

2.5V Drive Nch MOS FET

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RJK005N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RJK005N03
Structure
Silicon N-channel MOS FET
External dimensions
(Unit : mm)
SMT3
2.9
1.1
0.4
(3)
Features
1) Low On-resistance.
2) Low voltage drive (2.5V drive).
0.8
(2)
(1)
1.6
2.8
0.95 0.95
0.15
1.9
Applications
Switching
(1)Source
(2)Gate
(3)Drain
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : KV
Packaging specifications and h
FE
Package
Type
RJK005N03
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
T146
3000
Inner circuit
(3)
0.3Min.
(2)
∗2
∗1
∗1
ESD PROTECTION DIODE
(1)
∗2
BODY DIODE
(1)
Source
(2)
Gate
(3)
Drain
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
∗1
Pw≤10µs, Duty cycle≤1%
∗2
Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
∗1
I
S
I
SP
∗1
P
D
∗2
Tch
Tstg
Limits
30
±12
±500
±2.0
200
800
200
150
−55
to
+150
Unit
V
V
mA
A
mA
mA
mW
°C
°C
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Each terminal mounted on a recommended land
Symbol
Rth(ch-a)
Limits
625
Unit
°C/W
1/2

 
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