40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-18
40 V, N沟道, 硅, 小信号, 结型场效应管, TO-18
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknow |
外壳连接 | GATE |
配置 | SINGLE |
最大漏源导通电阻 | 30 Ω |
FET 技术 | JUNCTION |
JEDEC-95代码 | TO-18 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1.8 W |
最大功率耗散 (Abs) | 1.8 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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