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RDX030N60

产品描述10V Drive Nch MOS FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小69KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RDX030N60概述

10V Drive Nch MOS FET

RDX030N60规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)28 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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RDX030N60
Transistors
10V Drive Nch MOS FET
RDX030N60
Structure
Silicon N-channel MOS FET
External dimensions
(Unit : mm)
TO-220FM
10.0
φ
3.2
4.5
2.8
14.0
Features
1) Low on-resistance.
2) Low input capacitance.
3) Excellent resistance to damage from static electricity.
(1)Gate
15.0
12.0
8.0
2.5
1.3
1.2
0.8
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
Applications
Switching
(2)Drain
(3)Source
Package specifications
Package
Type
RDX030N60
Code
Basic ordering unit (pieces)
Bulk
500
Inner circuit
∗1
∗2
(1)
(2)
(3)
∗1
GATE PROTECTION DIODE
∗2
BODY DIODE
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
∗1
I
DP
∗2
I
S
I
SP
∗2
I
AS
∗3
E
AS
∗4
P
D
Tch
Tstg
Limits
600
±30
±3
±12
3
12
3
28
30
150
−55
to
+150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
Avalanche current
Avalanche energy
Total power dissipation (Tc=25°C)
Channel temperature
Range of storage temperature
∗1
Limited only by maximum temperature allowed
∗2
Pw 10µs, Duty cycle 1%
∗4
L
=
5.4mH V
DD
=90V Rg=25Ω starting Tch=25°C
∗3
L
=
5.4mH V
DD
=90V Rg=25Ω
Thermal resistance
Parameter
Channel to case
Symbol
Rth(ch-c)
Limits
4.17
Unit
°C/W
1/2

 
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