MN4164-15概述

NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM

MN4164-15规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	150 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM
内存宽度	1
端子数量	16
字数	65536 words
字数代码	64000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	128
最大压摆率	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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MN4164-15相似产品对比

	MN4164-15	MN4164-20	MN4164P-15	MN4164P-20	MN4164-25	MN4164P-25
描述	NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM	NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM	NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM	NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM	NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM	NMOS 65,536 X 1 BIT DYNAMIC RAM
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
最长访问时间	150 ns	200 ns	150 ns	200 ns	250 ns	250 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-PDIP-T16	R-PDIP-T16	R-XDIP-T16	R-PDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
端子数量	16	16	16	16	16	16
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	128	128	128	128	128	128
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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