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NILMS4501NR2G: 产品描述Power MOSFET with Current Mirror FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小88KB，共9页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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NILMS4501NR2G概述

Power MOSFET with Current Mirror FET

参数名称	属性值
Brand Name	ON Semiconduc
是否无铅	不含铅
零件包装代码	SOT
包装说明	LEAD FREE, LEADLESS, CASE 508AA-01, PLLP4, SO-8, 4 PIN
针数	4
制造商包装代码	508AA
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	50 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	CURRENT MIRROR WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	24 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	9.5 A
最大漏极电流 (ID)	9.5 A
最大漏源导通电阻	0.016 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PBCC-N4
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	14 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

	NILMS4501NR2G	NILMS4501N
描述	Power MOSFET with Current Mirror FET	Power MOSFET with Current Mirror FET

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