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BC807-40-7-F

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小235KB,共7页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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BC807-40-7-F在线购买

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BC807-40-7-F概述

Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR

BC807-40-7-F规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Diodes
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityPNP
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max- 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage- 700 mV
Maximum DC Collector Current- 1 A
Gain Bandwidth Product fT100 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
高度
Height
1 mm
长度
Length
3.05 mm
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
宽度
Width
1.4 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min170 at - 300 mA, - 1 V
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
310 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

BC807-40-7-F相似产品对比

BC807-40-7-F
描述 Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Product Attribute Attribute Value
制造商
Manufacturer
Diodes
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor Polarity PNP
Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 700 mV
Maximum DC Collector Current - 1 A
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
高度
Height
1 mm
长度
Length
3.05 mm
宽度
Width
1.4 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min 170 at - 300 mA, - 1 V
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
310 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz
系列
Packaging
Reel

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