EEPROM 128 Kbit 64 Kbit 1.7 V to 5.5 V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | HVSON, SOLCC8,.11,20 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| 长度 | 3 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.11,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 0.6 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| M24C64-FMB6TG | M24C64-RMB6TG | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM 128 Kbit 64 Kbit 1.7 V to 5.5 V | EEPROM 128 Kbit 64 Kbit 1.8 V to 5.5 V |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DFP | DFP |
| 包装说明 | HVSON, SOLCC8,.11,20 | HVSON, SOLCC8,.11,20 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDDR | 1010DDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 | R-XDSO-N8 |
| 长度 | 3 mm | 3 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVSON | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.11,20 | SOLCC8,.11,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8/5 V | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 0.6 mm | 0.6 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000001 A | 0.000001 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 2 mm | 2 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE | HARDWARE |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
