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CMPTA56-TR

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小393KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMPTA56-TR概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power

CMPTA56-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Central Semiconductor
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityPNP
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max80 V
Collector- Base Voltage VCBO80 V
Emitter- Base Voltage VEBO4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.25 V
Maximum DC Collector Current0.5 A
Gain Bandwidth Product fT50 MHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max50 at 10 mA at 1 V
高度
Height
0.96 mm (Max)
长度
Length
3.05 mm (Max)
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
宽度
Width
1.4 mm (Max)
Continuous Collector Current0.45 A
DC Collector/Base Gain hfe Min50 at 10 mA at 1 V, 50 at 100 mA at 1 V
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
350 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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CMPTA06 NPN
CMPTA56 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA06 and
CMPTA56 are complementary silicon transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed for small
signal general purpose and switching applications.
MARKING CODES: CMPTA06: C1G
CMPTA56: C2G
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
IBM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
80
80
4.0
500
100
200
350
-65 to +175
429
UNITS
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=80V
ICBO
VCB=80V, TA=150°C
ICEO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
fT
VCE=60V
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=2.0V, IC=10mA, f=100MHz (CMPTA06)
VCE=1.0V, IC=100mA, f=100MHz(CMPTA56)
MIN
MAX
100
20
100
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
80
4.0
0.25
1.20
100
100
100
50
MHz
MHz
R6 (1-February 2010)

 
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