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A42L8316V-35U

产品描述EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40
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文件大小270KB,共25页
制造商AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
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A42L8316V-35U概述

EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40

A42L8316V-35U规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间35 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP40/44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0015 A
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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A42L8316 Series
Preliminary
Document Title
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
Revision History
Rev. No.
0.0
0.1
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
History
Initial issue
Modify AC data
Issue Date
January 26, 1999
August 20, 2002
Remark
Preliminary
PRELIMINARY
(August, 2002, Version 0.1)
AMIC Technology, Inc.

A42L8316V-35U相似产品对比

A42L8316V-35U A42L8316V-40U A42L8316V-35
描述 EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40 EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40 EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明 TSOP2, TSOP40/44,.46,32 TSOP2, TSOP40/44,.46,32 TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 35 ns 40 ns 35 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40 R-PDSO-G40
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -
组织 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP40/44,.46,32 TSOP40/44,.46,32 TSOP40/44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES
最大待机电流 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A
最大压摆率 0.105 mA 0.1 mA 0.105 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1 1
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