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A42L8316S-35

产品描述EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40
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文件大小268KB,共25页
制造商AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
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A42L8316S-35概述

EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40

A42L8316S-35规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明SOJ, SOJ40,.44
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间35 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J40
JESD-609代码e0
长度26.04 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量40
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ40,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度3.66 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0015 A
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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A42L8316 Series
Preliminary
Document Title
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
Revision History
Rev. No.
0.0
0.1
0.2
256K X 16 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
History
Initial issue
Modify AC data
Delete the -30 grade
Issue Date
January 26, 1999
August 20, 2002
November 1, 2002
Remark
Preliminary
PRELIMINARY
(November, 2002, Version 0.2)
AMIC Technology, Corp.

A42L8316S-35相似产品对比

A42L8316S-35 A42L8316S-40 A42L8316V-40
描述 EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40 EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, SOJ-40 EDO DRAM, 256KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY] AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明 SOJ, SOJ40,.44 SOJ, SOJ40,.44 TSOP2, TSOP40/44,.46,32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 35 ns 40 ns 40 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J40 R-PDSO-J40 R-PDSO-G40
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 26.04 mm 26.04 mm 18.41 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 40 40 40
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ TSOP2
封装等效代码 SOJ40,.44 SOJ40,.44 TSOP40/44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512
座面最大高度 3.66 mm 3.66 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES
最大待机电流 0.0015 A 0.0015 A 0.0015 A
最大压摆率 0.105 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1 1
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