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MK41L67N-45

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, PDIP20
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文件大小475KB,共13页
制造商Thomson Components-Mostek Corp
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MK41L67N-45概述

Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, PDIP20

MK41L67N-45规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Thomson Components-Mostek Corp
包装说明DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间45 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率0.06 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

MK41L67N-45相似产品对比

MK41L67N-45 MK41L67P-35
描述 Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, PDIP20 Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Thomson Components-Mostek Corp Thomson Components-Mostek Corp
包装说明 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 45 ns 35 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T20 R-XDIP-T20
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1
端子数量 20 20
字数 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP20,.3 DIP20,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大压摆率 0.06 mA 0.06 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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