Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 22 W |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SD649 | 2SD602A | 2SD602 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A | 0.5 A | 0.5 A |
| 配置 | Single | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 4 | 40 | 40 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 22 W | 0.2 W | 0.2 W |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 零件包装代码 | - | SOT-23 | SOT-23 |
| 针数 | - | 3 | 3 |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | - | TO-236 | TO-236 |
| 集电极-发射极最大电压 | - | 50 V | 25 V |
| JEDEC-95代码 | - | TO-236 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 端子形式 | - | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | - | 200 MHz | 200 MHz |
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