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IRHQ3214: 产品描述RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小125KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRHQ3214概述

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)

IRHQ3214规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	LCC
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N28
针数	28
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	62 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1.6 A
最大漏极电流 (ID)	1.6 A
最大漏源导通电阻	2.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N28
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	28
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	12 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6.4 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

IRHQ3214相似产品对比

	IRHQ3214	IRHQ4214	IRHQ7214	IRHQ8214
描述	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-28)
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	LCC	LCC	LCC	LCC
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N28	CHIP CARRIER, R-CQCC-N28	CHIP CARRIER, R-CQCC-N28	CHIP CARRIER, R-CQCC-N28
针数	28	28	28	28
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	62 mJ	62 mJ	62 mJ	62 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V	250 V	250 V	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	1.6 A	1.6 A	1.6 A	1.6 A
最大漏极电流 (ID)	1.6 A	1.6 A	1.6 A	1.6 A
最大漏源导通电阻	2.25 Ω	2.25 Ω	2.25 Ω	2.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
元件数量	4	4	4	4
端子数量	28	28	28	28
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	12 W	12 W	12 W	12 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	6.4 A	6.4 A	6.4 A	6.4 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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