电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N6066B

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 105V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共4页
制造商Crydom
官网地址http://www.crydom.com/en/index.shtml
下载文档 详细参数 全文预览

1N6066B概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 105V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

1N6066B规格参数

参数名称属性值
包装说明O-MALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW IMPEDANCE
最大击穿电压143 V
最小击穿电压117 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压105 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
三极管的工作条件及工作状态的判断
一、晶体管工作的条件 1.集电极电阻Rc: 在共发射极电压放大器中,为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号),需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来,当集电极电流Ic通过时,在 ......
Jacktang 模拟与混合信号
51单片机C语言程序集
51单片机C语言程序集...
用心思考 51单片机
最后一天:分享&打卡STM32峰会,都有板子拿
STM32峰会系列今天即将结束{:1_97:},该出手时就出手啦:pleased: 想要亲临STM32峰会的网友 未报名的或者已报名去>>打卡专区报名或者打卡, 经核实后,100%送STM32F0308-DISCO开发板一 ......
nmg stm32/stm8
单片机设计,嵌入式开发,电子项目设计
郑州单片机设计,嵌入式开发,电子项目设计 郑州智软科技公司 http://www.zhiruancn.com/ 为你提供定制化,个性化的电子产品设计方案。 包含需求定制----产品设计----产品加工等环节。 如 ......
webnoise 嵌入式系统
求教,像k60这种单电机的底层怎么写?
k60这种单电机的底层怎么写?自己写 ...
freeyounger NXP MCU
protel99中制作元器件时怎么画虚线
大家好: 我想在protel99中制作元器件画虚线(继电器上有虚线)但是我不会画,该怎么办?我在元件库里找的继电器不是我想要的那种,所以很郁闷,谢谢了...
dingedward 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1196  2239  178  2318  477  53  29  5  12  35 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved