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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N7039CCT1E3
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1N7039CCT1E3

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17.5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小401KB，共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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1N7039CCT1E3概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17.5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA,

1N7039CCT1E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY POWER
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.6 V
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流17.5 A
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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1N7039CCT1
Silicon Dual Schottky Power Rectifier
35 Amp, 150 Volt
Qualified per MIL-PRF-19500/737
DESCRIPTION
This Dual Schottky rectifier device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability
applications. They are hermetically sealed in a common cathode configuration offering very
fast switching characteristics compared to fast or ultrafast rectifiers.
Qualified Levels:
JAN, JANTX, and
JANTXV
Available on
commercial
versions
TO-254AA Package
Important:
For the latest information, visit our website
http://www.microsemi.com.
FEATURES
•
•
•
•
•
•
JEDEC registered equivalent of 1N7039
Hermetically isolated TO-254AA package
Internal metallurgical bonds
Temperature independent switching behavior
JAN, JANTX, and JANTXV qualifications are available per MIL-PRF-19500/737
RoHS compliant versions available (commercial grade only)
Also available in:
TO-257AA package
(leaded)
1N7047CCT3
U1 (SMD-1) package
(surface mount)
1N7039CCU1
APPLICATIONS / BENEFITS
•
•
•
•
•
Schottky barrier rectifier diodes (dual) for military, space and other high reliability applications
Switching power supplies or other applications requiring extremely fast switching and essentially no
switching losses.
Low forward voltage drop
High forward surge capability
Inherently radiation hard >100 krads as described in
MicroNote 050
MAXIMUM RATINGS
@ T
A
= +25
o
C unless otherwise noted.
Parameters/Test Conditions
Junction and Storage Temperature
Thermal Resistance Junction-to-Case
(2.3
o
C/W maximum)
Symbol
T
J
and T
STG
R
ӨJC
V
RWM
C
J
I
O
I
FSM
Value
-65 to +150
1.9
150
350
35
180
Unit
o
C
C/W
V
pF
A
A
o
Working Peak Reverse Voltage
Junction Capacitance
o
Average DC Output Current @ T
C
= +100 C
Non-Repetitive Sinusoidal Surge Current @ t
p
= 8.3 ms,
o
T
C
= +25 C
MSC – Lawrence
6 Lake Street,
Lawrence, MA 01841
Tel: 1-800-446-1158 or
(978) 620-2600
Fax: (978) 689-0803
MSC – Ireland
Gort Road Business Park,
Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044
Fax: +353 (0) 65 6822298
Website:
www.microsemi.com
T4-LDS-0321, Rev. 1 (10/23/13)
©2013 Microsemi Corporation
Page 1 of 5

1N7039CCT1E3相似产品对比

1N7039CCT1E3 1N7039CCT1 JANTX1N7039CCT1 JAN1N7039CCT1 JANTXV1N7039CCT1
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 17.5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-254AA, Schottky Diodes u0026 Rectifiers Schottky Rectifier DIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254 DIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254 DIODE SCHOTTKY 150V 35A TO254
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli compliant unknown compliant unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用 FAST RECOVERY POWER FAST RECOVERY POWER EFFICIENCY FAST RECOVERY POWER EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 S-XSFM-P3 R-MSFM-P3 S-XSFM-P3
最大非重复峰值正向电流 180 A 180 A 180 A 180 A 180 A
元件数量 2 2 2 2 2
相数 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最大输出电流 17.5 A 17.5 A 35 A 17.5 A 35 A
封装主体材料 METAL METAL UNSPECIFIED METAL UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 150 V 150 V 150 V 150 V 150 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
包装说明 R-MSFM-P3 - HERMETIC SEALED PACKAGE-3 R-MSFM-P3 HERMETIC SEALED PACKAGE-3
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
最大正向电压 (VF) 1.6 V 1.6 V - 1.6 V -
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C -
最低工作温度 -65 °C -65 °C - -65 °C -
最大反向电流 500 µA 500 µA - 500 µA -
Base Number Matches 1 1 - 1 -
JESD-609代码 - - e0 e0 e0
认证状态 - - Qualified Qualified Qualified
端子面层 - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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