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RSB39VTE-17

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, UMD2, SC-901A, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小363KB,共8页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSB39VTE-17概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, UMD2, SC-901A, 2 PIN

RSB39VTE-17规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8178617089
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionROHM RSB39VTE-17, ESD Protection Diode, 2-Pin SOD-323FL
Samacsys ManufacturerROHM Semiconductor
Samacsys Modified On2020-04-10 06:07:09
YTEOL3
其他特性HIGH RELIABILITY
最大击穿电压42.9 V
最小击穿电压35.1 V
击穿电压标称值39 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Data Sheet
Bi direction ESD Protection Diode
RSB39V
Applications
ESD Protection
Dimensions
(Unit : mm)
1.25±0.1
0.1±0.1
    0.05
Land
size figure
(Unit : mm)
Features
1)Small mold type. (UMD2)
2)High reliability.
3)Bi-directionality.
0.8MIN.
0.9MIN.
1.7±0.1
2.5±0.2
UMD2
Constructions
Silicon epitaxial planer
0.3±0.05
0.7±0.2
    0.1
Structure
ROHM : UMD2
JEDEC : SOD-323
JEITA : SC-901A
dot (year week factory)
Taping
dimensions
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
0.3±0.1
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
1.40±0.1
4.0±0.1
φ1.05
1.0±0.1
Absolute
maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Power dissipation
Pd
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Limits
200
150
−55
to
+150
Unit
mW
°C
°C
Electrical
characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
Z
Zener voltage
Reverse current
Junction capacitance
I
R
Ct
Min.
35.1
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
42.9
0.1
30
Unit
V
μA
pF
I
Z
=1mA
Conditions
V
R
=30V
V
R
=0V , f=1MHz
*Zener voltage (Vz)shall be measured at 40ms after loading current.
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2.75
1/4
2011.11 - Rev.A
2.8±0.1
2.1
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