电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI1023X-T1

产品描述MOSFET 20V 0.35A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小144KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

SI1023X-T1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI1023X-T1 - - 点击查看 点击购买

SI1023X-T1概述

MOSFET 20V 0.35A

SI1023X-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SC-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.37 A
最大漏源导通电阻1.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Si1023X
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
1.2 at V
GS
= - 4.5 V
- 20
1.6 at V
GS
= - 2.5 V
2.7 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(mA)
- 350
- 300
- 150
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFET: 1.8 V Rated
• Very Small Footprint
• High-Side Switching
• Low On-Resistance: 1.2
• Low Threshold: 0.8 V (typ.)
• Fast Switching Speed: 14 ns
• 1.8 V Operation
• Gate-Source ESD Protected: 2000 V
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-563
SC-89
S
1
1
6
D
1
Marking Code: B
BENEFITS
Ease in Driving Switches
Low Offset (Error) Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Low Battery Voltage Operation
G
1
2
5
G
2
D
2
3
4
S
2
APPLICATIONS
Top
View
Ordering Information:
Si1023X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
• Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
• Battery Operated Systems
• Power Supply Converter Circuits
• Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
b
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
ESD
- 450
280
145
- 55 to 150
2000
- 390
- 280
- 650
- 380
250
130
mW
°C
V
5s
±6
- 370
- 265
mA
Steady State
- 20
Unit
V
Document Number: 71169
S10-2432-Rev. C, 25-Oct-10
www.vishay.com
1
为SRAM创建一个Avalon tri-strate接口时遇到的问题
用DE2的开发板,用Create New Component为SRAM创建一个Avalon tri-strate接口,data width为16位,address width为18位,其他还有byteenable_n ,chipselect_n ,read_n ,write_n ,创建好添加 ......
eeleader-mcu FPGA/CPLD
ccs5.5怎么添加相应配置?
紧急求助 ~~~~我使用的是ccs5.5 现在需要用c5000系列中的c54,,,,问一下 这个该怎么添加family 和相应配置的? ...
riverZ DSP 与 ARM 处理器
开关电源经典书,赶紧收藏!
354711 开关电源与传统直流电源相比,体积小、重量轻、效率高。相比传统电源有很大优势。当然,开关电源也有自身缺点:逆变电路中会产生高频电压,对周围设备有的干扰。 电子工程 ......
高进 下载中心专版
MOS参数
请问一下MOS管的参数该如何确定,参数不同会产生哪些影响,VDMOS也是一样的吗? ...
hyj1111122222 模拟电子
再拆个山寨杀手充电器
作者:ziteng00 山寨真是不杀人不死心啊。不过外观做的很不错。 19244 19245...
china_boy DIY/开源硬件专区
电能计量芯片CS5460
通过串行总线和主机通讯。。找过资料,在开始测量前,需要设置配置、控制、状态、中断等寄存器。。。配置完成后,发送启动转换指令开始转换。。。然后通过主机发送读寄存器指令,返回相应的值。 ......
xinjitmzy stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1362  2218  1226  2500  2576  41  6  11  3  8 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved