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TP86R203NLLQ

产品描述MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小255KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TP86R203NLLQ在线购买

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TP86R203NLLQ概述

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V

TP86R203NLLQ规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOP-8
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current19 A
Rds On - Drain-Source Resistance7 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.3 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge17 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle Quad Drain
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1.9 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1.68 mm
长度
Length
4.9 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
3.9 mm
Fall Time3.5 ns
Rise Time4 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2500
Typical Turn-Off Delay Time20 ns
Typical Turn-On Delay Time11 ns
单位重量
Unit Weight
0.030018 oz
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