BUH100G
SWITCHMODE NPN Silicon
Planar Power Transistor
The BUH100G has an application specific state−of−art die designed
for use in 100 W Halogen electronic transformers.
This power transistor is specifically designed to sustain the large
inrush current during either the startup conditions or under a short
circuit across the load.
Features
http://onsemi.com
•
Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:
High and Flat DC Current Gain h
FE
Fast Switching
•
Robustness Due to the Technology Developed to Manufacture
this Device
•
ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproducible Parametric Distributions
•
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Collector−Base Breakdown Voltage
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Base Current
−
Continuous
−
Peak (Note 1)
−
Continuous
−
Peak (Note 1)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
J
, T
stg
I
C
Value
400
700
700
10
10
20
4
10
100
0.8
−60
to 150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W/_C
_C
POWER TRANSISTORS
10 AMPERES
700 VOLTS
−
100 WATTS
TO−220AB
CASE 221A−09
STYLE 1
1
2
3
MARKING DIAGRAM
Total Device Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes1/8″ from Case for 5 Seconds
Symbol
R
qJC
R
qJA
T
L
Max
1.25
62.5
260
Unit
_C/W
_C/W
_C
A
Y
WW
G
BUH100G
AY WW
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
≤
10%.
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
Device
BUH100G
Package
TO−220AB
(Pb−Free)
Shipping
50 Units / Rail
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
October, 2011
−
Rev. 6
1
Publication Order Number:
BUH100/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
Dynamic Saturation
Voltage: Determined 3
ms
after rising I
B1
reaches
90% of final I
B1
(See Figure 19)
Input Capacitance
(V
EB
= 8 Vdc, f = 1 MHz)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1 MHz)
Current Gain Bandwidth
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1 MHz)
DC Current Gain(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 5 Adc, I
B
= 1 Adc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 5 Adc, I
B
= 1 Adc)
Emitter−Cutoff Current
(V
EB
= 9 Vdc, I
C
= 0)
Collector Base Current
(V
CB
= Rated V
CBO
, V
EB
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, I
B
= 0)
Emitter−Base Breakdown Voltage
(I
EBO
= 1 mA)
Collector−Base Breakdown Voltage
(I
CBO
= 1 mA)
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 100 mA, L = 25 mH)
(I
C
= 7 Adc, I
B
= 1.5 Adc)
(I
C
= 10 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
(I
C
= 7 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
(I
C
= 5 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
Characteristic
I
C
= 7.5 Adc, I
B1
= 1.5 Adc
V
CC
= 300 V
I
C
= 5 Adc, I
B1
= 1 Adc
V
CC
= 300 V
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
http://onsemi.com
BUH100G
2
V
CEO(sus)
V
CE(dsat)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
CBO
V
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
I
CES
C
ob
h
FE
f
T
C
ib
Min
700
400
10
10
15
16
10
6
4
8
7
1300
0.37
0.37
12.5
12
10.5
15
14.5
Typ
100
860
460
1.7
2.1
1.1
0.5
0.6
9.5
8
23
24
28
5
1
100
1000
100
1000
1750
0.75
1.5
Max
150
100
100
0.6
0.6
1.1
mAdc
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
V
V
V
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load
(V
clamp
= 300 V, V
CC
= 15 V, L = 200
mH)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
≤
10%, Pulse Width = 40
ms)
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Characteristic
I
C
= 7.5 Adc, I
B1
= 1.5 Adc
I
B2
= 1.5 Adc
V
CC
= 300 Vdc
I
C
= 1 Adc, I
B1
= 0.2 Adc
I
B2
= 0.4 Adc
V
CC
= 300 Vdc
I
C
= 1 Adc, I
B1
= 0.2 Adc
I
B2
= 0.2 Adc
V
CC
= 300 Vdc
I
C
= 5 Adc, I
B1
= 1 Adc
I
B2
= 1 Adc
V
CC
= 300 Vdc
I
C
= 7.5 Adc
I
B1
= 1.5 Adc
I
B2
= 1.5 Adc
I
C
= 1 Adc
I
B1
= 0.2 Adc
I
B2
= 0.5 Adc
I
C
= 1 Adc
I
B1
= 0.2 Adc
I
B2
= 0.2 Adc
I
C
= 5 Adc
I
B1
= 1 Adc
I
B2
= 1 Adc
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
http://onsemi.com
BUH100G
3
Symbol
t
on
t
on
t
on
t
on
t
off
t
off
t
off
t
off
t
si
t
si
t
si
t
si
t
fi
t
c
t
fi
t
c
t
fi
t
c
t
fi
t
c
Min
Typ
250
475
100
150
220
450
100
140
260
300
150
170
230
300
150
180
500
900
250
800
140
150
130
140
2.9
4.6
2.5
2.8
5.1
5.8
2.1
2.5
2.9
3.6
3.4
4.3
6.8
8.5
2
2.5
Max
350
150
300
150
350
250
325
250
700
500
200
200
2.5
3.5
2.5
3.5
3
6
4
8
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
BUH100G
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
V
CE
= 1 V
hFE , DC CURRENT GAIN
hFE , DC CURRENT GAIN
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
100
V
CE
= 3 V
10
T
J
= - 20°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= - 20°C
T
J
= 25°C
1
0.001
0.1
1
0.01
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
0.001
0.1
1
0.01
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volt
100
V
CE
= 5 V
hFE , DC CURRENT GAIN
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
T
J
= 125°C
10
I
C
/I
B
= 5
1
T
J
= 25°C
0.1
T
J
= - 20°C
T
J
= - 20°C
10
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
0.01
0.1
1
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
100
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volt
Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage
10
I
C
/I
B
= 10
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
1.5
I
C
/I
B
= 5
1
T
J
= 25°C
T
J
= - 20°C
1
T
J
= - 20°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 125°C
0.5
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0
0.001
0.1
0.01
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 5. Collector−Emitter Saturation Voltage
Figure 6. Base−Emitter Saturation Region
http://onsemi.com
4
BUH100G
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
1.5
I
C
/I
B
= 10
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
1.5
8A
5A
1
3A
2A
0.5
V
CE(sat)
(I
C
= 1 A)
0
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0
0.01
0.1
1
I
B
, BASE CURRENT (A)
10
2
T
J
= 25°C
10 A
15 A
1
T
J
= - 20°C
T
J
= 25°C
0.5
T
J
= 125°C
Figure 7. Base−Emitter Saturation Region
Figure 8. Collector Saturation Region
10000
T
J
= 25°C
f
(test)
= 1 MHz
BVCER (VOLTS)
900
T
J
= 25°C
800
BVCER @ 10 mA
C, CAPACITANCE (pF)
C
ib
1000
700
600
100
C
ob
500
BVCER(sus) @ 500 mA, 25 mH
400
1
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
10
100
1000
R
BE
(W)
10000
100000
10
Figure 9. Capacitance
Figure 10. Resistive Breakdown
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
