电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SPU18P06P

产品描述MOSFET P-Ch -60V -18.6A IPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小160KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SPU18P06P在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SPU18P06P - - 点击查看 点击购买

SPU18P06P概述

MOSFET P-Ch -60V -18.6A IPAK-3

SPU18P06P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)150 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)18.6 A
最大漏极电流 (ID)18.6 A
最大漏源导通电阻0.13 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)80 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)74.4 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 166  1290  1322  1341  1407 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved