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IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR

产品描述SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
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文件大小504KB,共14页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR在线购买

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IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR概述

SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM

IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM
RoHSDetails
Memory Size2 Mbit
Organization256 k x 8
Access Time10 ns
接口类型
Interface Type
Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.4 V
Supply Current - Max35 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOJ-36
系列
Packaging
Reel
Memory TypeSDR
类型
Type
Asynchronous
Moisture SensitiveYes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
800

IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR相似产品对比

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描述 SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体) ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category
SRAM SRAM SRAM SRAM
RoHS Details Details Details Details
Memory Size 2 Mbit 2 Mbit 2 Mbit 2 Mbit
Organization 256 k x 8 256 k x 8 256 k x 8 256 k x 8
Access Time 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns
接口类型
Interface Type
Parallel Parallel Parallel Parallel
电源电压-最大
Supply Voltage - Max
3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min
2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V
Supply Current - Max 35 mA 35 mA 35 mA 50 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C + 85 C + 85 C + 125 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOJ-36 TSOP-44 TSOP-44 TFBGA-36
Memory Type SDR SDR SDR SDR
类型
Type
Asynchronous Asynchronous Asynchronous Asynchronous
Moisture Sensitive Yes Yes Yes Yes
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
800 135 1000 480
系列
Packaging
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