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MA2YD33

产品描述Silicon epitaxial planar type
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小194KB,共2页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA2YD33概述

Silicon epitaxial planar type

MA2YD33规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
Base Number Matches1

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Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2YD33
Silicon epitaxial planar type
For high frequency rectification
Features
Forward current (Average) I
F(AV)
=
500
mA rectification is possible
Small reverse current I
R
1.6
±0.1
1
0 to 0.1
2.6
±0.1
3.5
±0.1
0.80
±0.05
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°C
Parameter
Reverse voltage
Repetitive peak reverse voltage
Forward current (Average)
Non-repetitive peak forward surge current
*
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
j
T
stg
Rating
30
30
500
3
125
–55 to +125
Unit
V
V
mA
°C
°C
1: Anode
2: Cathode
2
0.55
±0.1
0.45
±0.1
0.16
+0.1
–0.06
Note) *:
50
Hz sine wave
1
cycle (Non-repetitive peak current)
Mini2-F1 Package
Marking Symbol:
2V
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°C±3°C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
Symbol
V
F1
V
F2
I
R
C
t
t
rr
I
F
=
10
mA
I
F
=
500
mA
V
R
=
30
V
V
R
=
0
V, f =
1
MHz
I
F
= I
R
=
100
mA, I
rr
=
0.1
I
R
R
L
=
100
60
5
Conditions
Min
Typ
0.3
0.5
Max
0.4
0.55
50
Unit
V
µA
pF
ns
Note)
1.
Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C
7031
measuring methods for diodes.
2.
This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage
of current from the operating equipment.
3.
*: t
rr
measurement circuit
Bias Application Unit (N-50BU)
t
r
10%
Input Pulse
t
p
t
I
F
Output Pulse
t
rr
t
A
V
R
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
90%
t
p
=
2
µs
t
r
=
0.35 ns
δ =
0.05
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
I
rr
=
0.1 I
R
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
0 to 0.3
A
0 to 0.1
Publication date: December
2004
SKH00142AED
1
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