HN613256P,HN613256P pdf中文资料,HN613256P引脚图,HN613256P电路-Datasheet-电子工程世界

HN613256P: 产品描述word x 8-bit CMOS Mask Programmable Read Only Memory; 产品类别存储存储; 文件大小134KB，共2页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HN613256P概述

word x 8-bit CMOS Mask Programmable Read Only Memory

	HN613256P	HN613256FP
描述	word x 8-bit CMOS Mask Programmable Read Only Memory	word x 8-bit CMOS Mask Programmable Read Only Memory
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
包装说明	DIP, DIP28,.6	QFP, QFP54,.77X1.0,40
Reach Compliance Code	unknow	unknow
最长访问时间	250 ns	250 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PQFP-G54
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	262144 bi	262144 bi
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	8	8
端子数量	28	54
字数	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000
最高工作温度	70 °C	70 °C
最低工作温度	-20 °C	-20 °C
组织	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QFP
封装等效代码	DIP28,.6	QFP54,.77X1.0,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子节距	2.54 mm	1 mm
端子位置	DUAL	QUAD

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY