电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N5817/68

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小181KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
下载文档 详细参数 全文预览

1N5817/68概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

1N5817/68规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-41
包装说明PLASTIC, DO-41, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N5817, 1N5818, 1N5819
Vishay General Semiconductor
Schottky Barrier Rectifiers
Major Ratings and Characteristics
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
j
max.
1.0 A
20 V, 30 V, 40 V
25 A
0.45 V, 0.55 V, 0.60 V
125 °C
DO-204AL (DO-41)
Features
Guardring for overvoltage protection
Very small conduction losses
Extremely fast switching
Low forward voltage drop
High frequency operation
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
Mechanical Data
Case:
DO-204AL (DO-41)
Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade
Polarity:
Color band denotes the cathode end
Typical Applications
For use in low voltage high frequency inverters, free
wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications
Maximum Ratings
T
A
= 25 °C unless otherwise specified
Parameter
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum non-repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
L
= 90 °C
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-
wave superimposed on rated load
Voltage rate of change (rated V
R
)
Storage temperature range
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
RSM
I
F(AV
)
I
FSM
dv/dt
T
J
, T
STG
1N5817
20
14
20
24
1N5818
30
21
30
36
1.0
25
10000
- 65 to + 125
1N5819
40
28
40
48
Unit
V
V
V
V
A
A
V/µs
°C
Document Number 88525
13-Jul-05
www.vishay.com
1
【LPC8N04测评】2.开发板功能介绍和使用方法
本帖最后由 北方 于 2018-6-7 14:51 编辑 1、LPC8N04 Development Board开发板的使用和其他不同的就是供电部分。除了USB口供电以外,还有2种电池供电,和一种无电池供电的方式,这样的设计提 ......
北方 NXP MCU
小西瓜学瑞萨单片机(2)项目初建
主要是建立一个demo工程。。。{:1_144:} 一、打开 CS+,点击新建一个project: 211475 图2-1:新建工程 二、选择CPU 211476 图2-2:CPU选择 三、新建两个文件 main.h 和 main. ......
574433742 瑞萨MCU/MPU
求推荐进口的高精度0.1级 75mv分流器
求大神推荐进口的高精度0.1级 75mv分流器 牌子 ...
Locifer 汽车电子
请问IAR for msp430如果要用来开发8051需要下载补充什么?
请问IAR for msp430如果要用来开发8051怎么办?再下载一个for 8051的版本?安装的时候有无冲突?官网那种全系列的有破解的么?...
wangfuchong 微控制器 MCU
LPC54102 spi master 模式下用mda发数
如题,DMA方式一直用不起来,同样方式配置DMA,串口没问题,SPI就不能往外发送出数据, ...
154011552 单片机
KBU810问题求助
最近新高计了一个产品,用一个KBU810的桥堆带动一只230VDC的电机,电机堵死电流为1.2A,现在批量生产时发现有桥堆击穿的现象,KBU810的规格书上标明的反向耐压为1000V,请哪位高人指 ......
josden 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 302  763  1488  804  2703  22  8  6  57  18 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved