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IDT7015L25JGB

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68
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文件大小164KB,共20页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT7015L25JGB概述

Dual-Port SRAM, 8KX9, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

IDT7015L25JGB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数68
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e3
长度24.2062 mm
内存密度73728 bi
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-PRF-38535
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.2062 mm
Base Number Matches1

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