EEPROM, 2KX8, 200ns, Parallel, CMOS
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | , DIE OR CHIP |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 200 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
内存密度 | 16384 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 2KX8 |
封装等效代码 | DIE OR CHIP |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.0001 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
切换位 | NO |
最长写入周期时间 (tWC) | 0.2 ms |
Base Number Matches | 1 |
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