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BD899A

产品描述8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共5页
制造商Bourns
官网地址http://www.bourns.com
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BD899A概述

8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

BD899A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Bourns
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BD899A相似产品对比

BD899A BD895A
描述 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB POWER TRANSISTOR, TO-220
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Bourns Bourns
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 8 A 8 A
集电极-发射极最大电压 80 V 45 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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