TRANSISTOR 30 A, 100 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220ML, 3 PIN, FET General Purpose Power
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 1043831531 |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | onsemi |
Samacsys Modified On | 2017-03-07 21:15:38 |
YTEOL | 0 |
雪崩能效等级(Eas) | 281 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.042 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120 A |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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