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STB24N60DM2

产品描述MOSFET POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共21页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STB24N60DM2概述

MOSFET POWER MOSFET

STB24N60DM2规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明TO-263, D2PAK-3/2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time17 weeks
雪崩能效等级(Eas)180 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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