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APT30N60BC6

产品描述IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT30N60BC6概述

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single

APT30N60BC6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)636 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)89 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

APT30N60BC6相似产品对比

APT30N60BC6 APT30N60SC6
描述 IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 636 mJ 636 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.125 Ω 0.125 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e1 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 89 A 89 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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