IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-247 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 636 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.125 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 89 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
APT30N60BC6 | APT30N60SC6 | |
---|---|---|
描述 | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 636 mJ | 636 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A | 30 A |
最大漏源导通电阻 | 0.125 Ω | 0.125 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e1 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 89 A | 89 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES |
端子面层 | TIN SILVER COPPER | TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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