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BU21TD2WNVX-TL

产品描述LDO Voltage Regulators ULTRA SMALL CMOS VREG 2.1V
产品类别电源/电源管理    电源电路   
文件大小3MB,共44页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BU21TD2WNVX-TL概述

LDO Voltage Regulators ULTRA SMALL CMOS VREG 2.1V

BU21TD2WNVX-TL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SON
包装说明1 X 1 MM, 0.60 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, SSON-4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time14 weeks
可调性FIXED
标称回动电压 11 V
最大绝对输入电压6.5 V
最大输入电压5.5 V
最小输入电压1.7 V
JESD-30 代码S-PDSO-N4
长度1 mm
最大电网调整率0.02%
最大负载调整率0.08%
功能数量1
输出次数1
端子数量4
工作温度TJ-Max125 °C
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流 10.2 A
最大输出电压 12.125 V
最小输出电压 12.075 V
标称输出电压 12.1 V
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC4,.04,25
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
调节器类型FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR
座面最大高度0.6 mm
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差1.2%
宽度1 mm
Base Number Matches1

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Datasheet
CMOS LDO Regulator Series for Portable Equipments
Versatile Package
FULL CMOS LDO Regulator
BUxxTD2WNVX series
●General
Description
BUxxTD2WNVX series is high-performance FULL CMOS
regulator with 200-mA output, which is mounted on
versatile package SSON004X1010 (1.00mm
×
1.00 mm
×
0.60mm). It has excellent noise characteristics and
load responsiveness characteristics despite its low circuit
current consumption of 35μA. It is most appropriate for
various applications such as power supplies for logic IC,
RF, and camera modules.ROHM’s.
●Key
Specifications
Output voltage:
Accuracy output voltage:
Low current consumption:
Operating temperature range:
1.0V to 3.4V
±1.0% (±25mV)
35μA
-40°C to +85°C
●Applications
Battery-powered portable equipment, etc.
●Package
SSON004X1010 :
●Features
High accuracy detection
low current consumption
Compatible with small ceramic capacitor(Cin=Co=0.47uF)
With built-in output discharge circuit
High ripple rejection
ON/OFF control of output voltage
With built-in over current protection circuit
and thermal shutdown circuit
Low dropout voltage
1.00mm x 1.00mm x 0.60mm
●Typical
Application Circuit
STBY
VIN
STBY
VIN
VOUT
VOUT
GND
GND
GND
Fig.1 Application Circuit
○Product
structure:Silicon monolithic integrated circuit
○This
product is not designed protection against radioactive rays.
www.rohm.com © 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
TSZ22111½14½001
1/40
TSZ02201-0RBR0A300050-1-2
14.Jan.2013.Rev.008

 
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