Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS7C31024B-15TJCN

AS7C31024B-15TJCN: 产品描述SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小109KB，共9页; 制造商Alliance Memory; 标准

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AS7C31024B-15TJCN概述

SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM

AS7C31024B-15TJCN规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	15 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e3
长度	20.955 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
座面最大高度	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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March 2004

AS7C31024B

3.3V 128K X 8 CMOS SRAM

Features

• Industrial and commercial temperatures

• Organization: 131,072 words x 8 bits

• High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time

• Low power consumption: ACTIVE

- 252 mW / max @ 10 ns

• Easy memory expansion with CE1, CE2, OE inputs

• TTL/LVTTL-compatible, three-state I/O

• 32-pin JEDEC standard packages

300 mil SOJ

400 mil SOJ

8 × 20mm TSOP 1

8 x 13.4mm sTSOP 1

• Low power consumption: STANDBY

- 18 mW / max CMOS

• ESD protection

≥

2000 volts

• Latch-up current

≥

200 mA

• 6T 0.18u CMOS technology

Pin arrangement

Logic block diagram

A16

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

32-pin SOJ (300 mil)

32-pin SOJ (400 mil)

A15

CE2

A13

A11

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

Input buffer

I/O7

Row decoder

512 x 256 x 8

Array

(1,048,576)

Sense amp

32-pin (8 x 20mm) TSOP I

32-pin (8 x 13.4mm) sTSOP1

I/O0

CE1

CE2

A11

A13

CE2

A15

A16

A14

A12

A10

CE1

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

Selection guide

-10

-12

-15

AS7C31024B

Column decoder

Control

circuit

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

AS7C31024B

-20

Unit

Maximum address access time

Maximum output enable access time

Maximum operating current

Maximum CMOS standby current

3/24/04, v.1.2

Alliance Semiconductor

P. 1 of 9

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描述	SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 20ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 20ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 10ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM	SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP1	SOJ	TSOP1	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ,	SOJ,	SOJ,	SOJ,	TSOP1, TSSOP32,.8,20	SOJ,	TSOP1,	SOJ,	SOJ,	SOJ, SOJ32,.34
针数	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	15 ns	15 ns	12 ns	15 ns	15 ns	20 ns	12 ns	20 ns	10 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e3	e3	e3/e6	e3/e6	e3	e3/e6	e3/e6	e3	e3	e3
长度	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm	18.4 mm	20.955 mm	18.4 mm	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP1	SOJ	TSOP1	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245	245	245	245	260	245	260	245	245	NOT SPECIFIED
座面最大高度	3.683 mm	3.7084 mm	3.683 mm	3.683 mm	1.2 mm	3.683 mm	1.2 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Matte Tin (Sn)	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	J BEND	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40	40	40	40	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	8 mm	10.16 mm	8 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
湿度敏感等级	3	3	-	-	3	-	-	3	3	3
厂商名称	-	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	-	-	Alliance Memory

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