IS62WV25616EBLL-45BLI-TR,IS62WV25616EBLL-45BLI-TR pdf中文资料,IS62WV25616EBLL-45BLI-TR引脚图,IS62WV25616EBLL-45BLI-TR电路-Datasheet-电子工程世界

IS62WV25616EBLL-45BLI-TR: 产品描述SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v~3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS; 产品类别存储; 文件大小676KB，共18页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/

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IS62WV25616EBLL-45BLI-TR在线购买

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SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v~3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	Details
Memory Size	4 Mbit
Organization	256 k x 16
Access Time	45 ns
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.2 V
Supply Current - Max	22 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TFBGA-48
系列 Packaging	Reel
Memory Type	SDR
类型 Type	Asynchronous
Moisture Sensitive	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500

	IS62WV25616EBLL-45BLI-TR	IS62WV25616EALL-55BLI-TR	IS62WV25616EBLL-45TLI-TR
描述	SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v~3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS	IC SRAM	SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Product Attribute	Attribute Value	-	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	-	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM	-	SRAM
RoHS	Details	-	Details
Memory Size	4 Mbit	-	4 Mbit
Organization	256 k x 16	-	256 k x 16
Access Time	45 ns	-	45 ns
接口类型 Interface Type	Parallel	-	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V	-	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.2 V	-	2.2 V
Supply Current - Max	22 mA	-	22 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	-	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	-	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	-	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TFBGA-48	-	TSOP-44
系列 Packaging	Reel	-	Reel
Memory Type	SDR	-	SDR
类型 Type	Asynchronous	-	Asynchronous
Moisture Sensitive	Yes	-	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500	-	1000

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