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IRL3302SPBF

产品描述MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小99KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRL3302SPBF概述

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 8.7nC

IRL3302SPBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-252-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current39 A
Rds On - Drain-Source Resistance23 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Qg - Gate Charge20.7 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
57 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
高度
Height
2.3 mm
长度
Length
6.5 mm
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
Preliminary
宽度
Width
6.22 mm
Fall Time89 ns
NumOfPackaging1
Rise Time110 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3200
Typical Turn-Off Delay Time41 ns
Typical Turn-On Delay Time7.2 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz
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