MJD148
NPN Silicon Power
Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
•
High Gain − 50 Min @ I
C
= 2.0 A
•
Low Saturation Voltage − 0.5 V @ I
C
= 2.0 A
•
High Current Gain − Bandwidth Product − f
T
= 3.0 MHz Min @
I
C
= 250 mAdc
•
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
•
ESD Ratings: Human Body Model, 3B; >8000 V
Machine Model, C; >400 V
http://onsemi.com
4.0 Amps
45 Volts
20 Watts
POWER TRANSISTOR
MARKING
DIAGRAM
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
STYLE 1
YWW
J148
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
I
B
Value
45
45
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
5.0
4.0
7.0
50
Collector Current − Continuous
Peak
Base Current
mAdc
W
W/°C
W
W/°C
°C
Total Power Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Total Power Dissipation (Note 1)
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
P
D
P
D
20
0.16
1.75
0.014
T
J
, T
stg
−55 to
+ 150
J148
Y
WW
= Device Code
= Year
= Work Week
ORDERING INFORMATION
Device
MJD148T4
Package
DPAK
Shipping
†
2500/Tape & Reel
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
qJC
R
qJA
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Case
6.25
71.4
°C/W
°C/W
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
(Note 1)
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur
and reliability may be affected.
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad
sizes recommended.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
1
June, 2004 − Rev. 2
Publication Order Number:
MJD148/D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2. Pulse Test: Pulse Width
v
300
ms,
Duty Cycle
v
2%.
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Current−Gain−Bandwidth Product
Base−Emitter On Voltage (Note 2)
Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 2)
DC Current Gain (Note 2)
Emitter Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
Characteristic
I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5 Vdc
I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 2 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 3 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 250 mAdc, V
CE
= 1 Vdc, f = 1 MHz
I
C
= 2 Adc, V
CE
= 1 Vdc
I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.2 Adc
V
BE
= 5 Vdc, I
C
= 0
V
CB
= 45 Vdc, I
E
= 0
I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0
http://onsemi.com
Test Conditions
MJD148
2
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(on)
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
Min
40
85
50
30
45
3
−
−
−
−
Max
−
375
−
−
1.1
0.5
20
−
1
−
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
−
MJD148
TYPICAL CHARACTERISTICS
h
FE
, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
10
T
J
= 150°C
5
3
2
1
= 25°C
0.5
0.3
0.2
0.1
0.004
0.007 0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
0.5
1
2
3
4
−55°C
V
CE
= 2 V
V
CE
= 10 V
Figure 1. DC Current Gain
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)
2
T
J
= 25°C
1.6
1.2
I
C
= 10 mA
100 mA
1A
3A
0.8
0.4
0
0.05 0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5 7 10
I
B
, BASE CURRENT (mA)
20
30
50 70 100
200 300 500
Figure 2. Collector Saturation Region
http://onsemi.com
3
MJD148
2
q
y
, TEMPERATURE COEFFICIENTS
(mV/°C)
T
J
= 25°C
1.6
VOLTAGE (V)
+ 2.5
+2
+ 1.5
+1
+ 0.5
0
−0.5
−1
−1.5
−2
−2.5
0.005 0.01 0.020.030.05 0.1 0.20.3 0.5
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
2
3 4
q
V
for V
BE
*q
V
for V
CE(sat)
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE
/2
*T
J
= − 65°C to + 150°C
1.2
0.8
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2 V
0.4
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.005 0.01 0.020.030.05 0.1 0.20.3 0.5
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
2
34
Figure 3. “On” Voltages
Figure 4. Temperature Coefficients
10
3
V
CE
= 30 V
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
2
10
1
10
0
10
−1
10
−2
T
J
= 150°C
100°C
REVERSE
FORWARD
25°C
I
CES
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
10
−3
−0.4 −0.3 −0.2 −0.1
V
BE
, BASE−EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 5. Collector Cut−Off Region
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P
(pk)
Z
qJC(t)
= r(t) R
qJC
R
qJC
= 6.25°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
t
1
READ TIME AT t
1
t
2
T
J(pk)
− T
C
= P
(pk)
Z
qJC
(t)
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
t, TIME (ms)
10
20
50
100
200
500
1k
Figure 6. Thermal Response
http://onsemi.com
4
MJD148
10
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
1
500
ms
dc
5 ms
1 ms
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
INFORMATION
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
T
C
= 25°C SINGLE PULSE, D
≤
0.1%
T
J
= 150°C
20 30
50 70
2
3
5 7 10
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
− V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 7 is based on T
J(pk)
= 150°C; T
C
is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided T
J(pk)
v
150°C. T
J(pk)
may be calculated from the data in
Figure 6. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
Figure 7. Maximum Rated Forward Bias
http://onsemi.com
5
无线连接
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
