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STGW40H120F2

产品描述IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小973KB,共17页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STGW40H120F2概述

IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

STGW40H120F2规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ST(意法半导体)
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-247-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage20 V
Continuous Collector Current at 25 C80 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
468 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max80 A
Gate-Emitter Leakage Current250 nA
NumOfPackaging1
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
600
单位重量
Unit Weight
1.340411 oz

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