M25P05-AVMN6P,M25P05-AVMN6P pdf中文资料,M25P05-AVMN6P引脚图,M25P05-AVMN6P电路-Datasheet-电子工程世界

M25P05-AVMN6P: 产品描述NOR Flash Lo-Volt 512K (64Kx8); 产品类别存储存储; 文件大小224KB，共42页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M25P05-AVMN6P概述

NOR Flash Lo-Volt 512K (64Kx8)

M25P05-AVMN6P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
Is Samacsys	N
其他特性	40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	SPI
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	NOR TYPE
宽度	3.9 mm
写保护	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches	1

M25P05-AVMN6P相似产品对比

	M25P05-AVMN6P	M25P05-AVMN6T	M25P05-AVDW6TP	M25P05-AVMP6TG
描述	NOR Flash Lo-Volt 512K (64Kx8)	Flash Memory 3.0V 512K (64Kx8)	NOR Flash 512 KB Lo Vltg Serial Flash memory	NOR Flash 3.0V 512K (64Kx8)
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	DFN
包装说明	0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, SOP-8	0.150 INCH, SOP-8	ROHS COMPLIANT, TSSOP-8	SON, SOLCC8,.25
针数	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST	40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST	40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST	40 MHZ CLOCK FREQUENCY AVAILABLE UPON REQUEST
最大时钟频率 (fCLK)	50 MHz	50 MHz	50 MHz	50 MHz
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-N8
长度	4.9 mm	4.9 mm	4.4 mm	6 mm
内存密度	524288 bit	524288 bit	524288 bit	524288 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	64KX8	64KX8	64KX8	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	TSSOP	SON
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25	SOLCC8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED
电源	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
编程电压	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	1.2 mm	1 mm
串行总线类型	SPI	SPI	SPI	SPI
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最大压摆率	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.3 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	10	NOT SPECIFIED
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	3.9 mm	3.9 mm	3 mm	5 mm
写保护	HARDWARE/SOFTWARE	HARDWARE/SOFTWARE	HARDWARE/SOFTWARE	HARDWARE/SOFTWARE
JESD-609代码	e4	e4	e4	-
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-

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