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IXFK32N100P: 产品描述MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小113KB，共4页; 制造商IXYS ( Littelfuse ); 官网地址http://www.ixys.com/

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MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	IXYS ( Littelfuse )
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-264-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1000 V
Id - Continuous Drain Current	32 A
Rds On - Drain-Source Resistance	320 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	6.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Qg - Gate Charge	225 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	960 W
Channel Mode	Enhancement
系列 Packaging	Tube
高度 Height	26.16 mm
长度 Length	19.96 mm
Transistor Type	1 N-Channel
类型 Type	Polar Power MOSFET HiPerFET
宽度 Width	5.13 mm
Forward Transconductance - Min	13 S
Fall Time	43 ns
NumOfPackaging	1
Rise Time	55 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	25
Typical Turn-Off Delay Time	76 ns
Typical Turn-On Delay Time	50 ns
单位重量 Unit Weight	0.352740 oz

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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